2018:シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス 市場業界の概要,アプリケーションと分析

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  • 2019-06-15
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シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスについてのパワーデバイスは、スイッチ、またはパワーエレクトロニクスシステムにおける整流器として使用される半導体です。SiCはシリコンおよび炭素からなる化合物半導体であり、10倍の絶縁破壊電界強度、バンドギャップ、シリコンよりも熱伝導率を有します。SiCパワーデバイスの特殊な特性は、高温動作安定性、高い熱伝導率、高エネルギーバンドギャップ、及びより速いスイッチング時間を含みます。SiCパワーデバイスのこれらの特性は、従来のSiパワーデバイス上でこれらのデバイスを採用する相手先ブランド供給(OEM)を奨励しています。業界アナリストは、グローバル・シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス市場は、2018年から2023年から35.73パーセントのCAGRで成長すると予測します。

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シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス 市場の最高の選手は以下の通りです:
半導体、ローム、STマイクロエレクトロニクス、東芝ONクリー、インフィニオンテクノロジーズ、三菱電機、

地理的に、グローバルレポートはmajorlyカバーするために複数の領域に分割,
*北アメリカ
•ヨーロッパ
•中国
•アジア太平洋
•その他

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